品牌:普赛斯仪表
测试范围:0.3mV-300V/100pA-1A
测试精度:0.1%
工作环境:25±10℃
浏览量:59541次
- 价 格:32000.00元/台
- 起订量:1 台
- 发货地:湖北 武汉市
- 发货期限:3天内发货
- 供货总量:10000 台
- 有效期至:长期有效
- 最后更新:2022-03-22 14:55
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武汉普赛斯仪表有限公司
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半导体霍尔效应测试实验平台需要哪些仪器呢?认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯数字源表国产自主研发,性价比高,测试范围更广,输出电压高达300V,支持USB存储,一键导出报告,符合大环境下国内技术自给的需求,可及时与客户沟通,为客户提供高性价比系统解决方案,及时指导客户编程,加速测试系统开发
半导体材料的霍尔效应是表征和分析半导体材料的重要手段,可根据霍尔系数的符号判断材料的导电类型。霍尔效应本质上是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转,当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,形成附加的横向电场。
根据霍尔系数及其与温度的关系可以计算载流子的浓度,以及载流子浓度同温度的关系,由此可以确定材料的禁带宽度和杂质电离能;通过霍尔系数和电阻率的联合测量能够确定载流子的迁移率,用微分霍尔效应法可测纵向载流子浓度分布;测量低温霍尔效应可以确定杂质补偿度。与其他测试不同的是霍尔参数测试中测试点多、 连接繁琐,计算量大,需外加温度和磁场环境等特点,在此前提下,手动测试是不可能完成的。
普赛斯仪表开发的霍尔效应测试系统可以实现几千到至几万点的多参数自动切换测量,系统由S系列国产源表,2700矩阵开关和S型测试软件等组成。可在不同的磁场、温度和电流下根据测试结果计算出电阻率、霍尔系数、载流子浓度和霍尔迁移率,并绘制曲线图。在半导体制程的晶圆基片和离子注入等阶段,或者封装好的霍尔器件需要做霍尔效应的测试。
需要测试的参数:
电阻率
霍尔系数
载流子浓度
霍尔迁移率特性曲线
范德堡法
需要的仪器列表:
国产S型源表
开关
变温器
可变磁场
软件
武汉普赛斯仪表有限公司
进入公司首页武汉普赛斯仪表有限公司坐落于国家高新技术产业基地“武汉·中国光谷”,是一家集研发、生产、销售、服务于一体的技术型企业,拥有以硕士、博士学历为主的研发团队和经验丰富的管理服务团队。 普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、脉冲式源表、集成插卡式源表、窄脉冲电流源、高精度高压电源等,填补国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺,为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台,以及相关技术服务,满足行业对测试效率、测试...
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